Банишев, А. Ф. Формирование структур дислокаций в приповерхностном слое кремния под воздействием лазерного излучения с микроструктурированным распределением интенсивности [Текст] / А. Ф. Банишев, А. М. Павлов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 11-17 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): приповерхностные слои -- кремний -- алюминий -- приповерхностные слои кремния -- лазерные излучения -- полупроводники -- дислокации -- лазерно-стимулированные диффузии -- лазерно-стимулированные диффузии алюминия -- монокристаллический кремний Аннотация: Исследованы процессы генерации и накопления дефектов в приповерхностном слое монокристаллического кремния при различных условиях и режимах лазерного воздействия. Доп.точки доступа: Павлов, А. М. |