Зеленер, Б. Б. Эффект замедления рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике в магнитном поле [Текст] / Б. Б. Зеленер, Б. В. Зеленер, Э. А. Маныкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 3. - С. 164-167
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- магнитное поле -- неравновесные носители заряда -- рекомбинация носителей заряда Аннотация: В работе предсказан эффект замедления рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике в однородном магнитном поле. На примере германия показано, что в области температур T= (1-10) К, концентраций зарядов n[e]= (10\{10\}-10\{14\}) см и значений индукции магнитного поля B= (3 10\{2\}-3 10\{4\}) Гс время рекомбинации может быть увеличено более чем в сто раз по сравнению с его значением в отсутствие магнитного поля. Это означает, что после создания неравновесных носителей заряда путем инжекции при p-n-переходе или за счет каких-либо источников излучения, а также облучения быстрыми электронами проводимость в полупроводнике сохраняется значительно дольше при наличии магнитного поля. Найденный эффект может быть использован, например, для обнаружения источников излучения. Доп.точки доступа: Зеленер, Б. В.; Маныкин, Э. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |