Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации [Текст] : (к 50-летию полета Ю. А. Гагарина в космос) / И. Л. Шульпина [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1264-1268. - Библиогр.: с. 1268 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- выращивание кристаллов -- полупроводники -- микрогравитация -- космические аппараты Аннотация: Кратко описана история выращивания кристаллов полупроводников на борту космических аппаратов и их последующего исследования. На примере кристаллов Ge (Ga), GaSb (Si), GaSb (Te) показано, что при их рекристаллизации вертикальным методом Бриджмена в условиях физического моделирования микрогравитации на Земле удается избежать формирования сегрегационных полос роста, главным образом за счет существенного ослабления термогравитационной конвекции. По своей структуре и распределению примеси они приближаются к выращенным в космосе. Исследование рекристаллизации Te позволило определить роль характерного для условий микрогравитации "эффекта отрыва" и особенности микроструктуры образцов, кристаллизующихся со "свободной" поверхностью. Анализ результатов экспериментов в космосе позволяет лучше понять процессы, происходящие при кристаллизации расплавов, и совершенствовать наземную технологию выращивания кристаллов. Доп.точки доступа: Шульпина, И. Л.; Захаров, Б. Г.; Парфеньев, Р. В.; Фарбштейн, И. И.; Серебряков, Ю. А.; Прохоров, И. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |