Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Верхотурова И.В., Ярославцев Д.Н., Ванина Е.А. Заглавие : Механизмы дефектообразования в кристаллах Mg2, Sio4 и Cr:Mg2SiO4, облученных высокоэнергетическими электронами Серия: Физика и материаловедение Место публикации : Вестник Амурского государственного университета. - 2007. - Вып. 37 : Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 17-20 Примечания : Библиогр. в конце ст. - Ил.: 7 рис. ISSN: ХХХХ-ХХХХ УДК : 535 ББК : 22.34 Предметные рубрики: Физика-- Оптика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы--кристаллы форстерита--облучение кристаллов--нелигированные кристаллы--легированные кристалллы--спектры поглощения--кинетика--составляющие гаусса--гаусса составляющие--дефектообразование в кристаллах Аннотация: В статье отображено исследование механизмов радиационного дефектообразования в кристаллах форстерита. Доп.точки доступа: Ярославцев, Д.Н.; Ванина, Е.А. |