Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Прудаев И. А., Хлудков С. С. Заглавие : Диффузия и растворимость электрически активных атомов железа в арсениде галлия Серия: Физика полупроводников и диэлектриков Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 39-41 (Шифр izph/2008/51/11) Примечания : Библиогр.: c. 41 (8 назв. ) УДК : 621.78 + 537.311.33 ББК : 34.65 + 22.379 Предметные рубрики: Машиностроение Упрочнение металлов Физика полупроводников и диэлектриков Физика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--диффузия железа--коэффициент диффузии--температурная зависимость Аннотация: Исследована диффузия железа в GaAs при давлении паров мышьяка 1 атм. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии и растворимости электрически активных атомов железа в GaAs. Зависимости описываются уравнениями Аррениуса со следующими параметрами для коэффициента диффузии: Do = 1, 61 см2/с, Е = (2, 16 + 0, 47) эВ; для растворимости: N~ = 4, 62 1023 см'З, Es = (1, 61 + 0, 16) эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными. Показано, что концентрация электрически активных атомов железа примерно в 2 раза меньше общей концентрации железа в GaAs. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С.