Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Дроздов Ю. Н., Звонков Б. Н., Кудрин А. В., Подольский В. В., Сапожников М. В. Заглавие : Магнитосопротивление структур, содержащих слои MnAs и сильнолегированных марганцем полупроводников A{3}B{5} Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 30-32 (Шифр ranf/2009/73/1) Примечания : Библиогр.: c. 32 (4 назв. ) УДК : 537.632 ББК : 22.334 Предметные рубрики: Физика Магнетизм Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитосопротивление--трехслойные структуры--бета (mn) -легирование--мос-гидридная эпитаксия--лазерное осаждение--магнитотранспортные свойства--полупроводники--ферромагнетики--магнитнооптический эффект керра--керра магнитнооптический эффект Аннотация: Исследовались магнитотранспортные свойства эпитаксильных гетероструктур ферромагнетик/полупроводник на основе ферромагнитных слоев MnAs и GaMnAs, разделенных промежуточным немагнитным слоем полупроводника (InAs либо GaAs). Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Подольский, В. В.; Сапожников, М. В.