Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Авакянц Л. П., Боков П. Ю., Григорьев А. Т., Червяков А. В. Заглавие : Исследование методом фотоотражения полуизолирующих подложек GaAs, обработанных плазменным травлением Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 995-998 (Шифр ranf/2008/72/7) Примечания : Библиогр.: c. 998 (11 назв. ) УДК : 537.222 ББК : 22.331 Предметные рубрики: Физика Электростатика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полуизолирующие подложки gaas--ионно-плазменное травление--поверхности--спектроскопия фотоизображения--электронный циклотронный резонанс--спектры фотоотражения--франца-келдыша осциллиции--осциллиции франца-келдыша--экспериментальные данные--моделирование Аннотация: Методом спектроскопии фотоизображения исследованы полуизолирующие подложки GaAs с ориентацией поверхности (100), подвергнутые ионно-плазменному травлению различного типа. Доп.точки доступа: Авакянц, Л. П.; Боков, П. Ю.; Григорьев, А. Т.; Червяков, А. В.