Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Москаль Д. С., Надточий В. А., Голоденко Н. Н. Заглавие : Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С.86-89. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2008/50/11). - ISSN 0021-3411 Примечания : Библиогр.: c. 89 (8 назв. ) УДК : 537.311.33 ББК : 22.379 Предметные рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков Физика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы--дифракционно-модулированные лазерные излучения--дифракционные маски--кластерообразование--точечные дефекты Аннотация: Исследован рельеф поверхности GaAs, облученной лазером через дифракционные маски разного профиля. Плотность падающей энергии луча не превышала порогового значения. Под действием дифракционно-модулированного лазерного излучения в поверхностном слое кристалла формируются кластеры из точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов в периодическом поле термоупругих напряжений. Доп.точки доступа: Надточий, В. А.; Голоденко, Н. Н. |