Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Гаман В. И. Заглавие : Физические основы работы полупроводниковых сенсоров водорода Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 4. - С. С. 84-98 (Шифр izph/2008/51/4) Примечания : Библиогр.: c. 98 (23 назв. ) УДК : 541.128.3 ББК : 22.382 Предметные рубрики: Физика Элементарные частицы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газовые сенсоры--диоксид олова--полупроводниковые сенсоры--сенсоры водорода Аннотация: Рассмотрены наиболее вероятные физические модели сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова, а также на основе МОП-структур и туннельных МОП-диодов. Основное внимание уделяется механизмам формирования отклика сенсоров на воздействие водорода. Для всех типов сенсоров приводятся аналитические выражения, описывающие зависимость отклика от концентрации водорода [Н2]. Представлены выражения, описывающие зависимость проводимости сенсора на основе пленки диоксида олова и его отклика от абсолютной влажности газовой смеси. Показано, что время релаксации отклика [рел] для сенсоров на основе диоксида олова и МОП-структур определяется временем релаксации процесса адсорбции атомов водорода [а] на поверхности SnO[2] и SiO[2] соответственно. Для МОП-диодов при [H2] 3 10 ppm [рел] = [a], а при [H2] 7, 5 10{3} ppm [рел] = [д] - время релаксации процесса диффузии атомов водорода через слой SiO[2].