Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Моисеев А. Г. Заглавие : Исследование кинетических явлений в изотропном поликристаллическом кремнии р-типа Серия: Физика полупроводников и диэлектриков Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 2. - С. С. 76-88 (Шифр izph/2008/51/2) Примечания : Библиогр.: c. 87-88 (23 назв. ) УДК : 621.315.592 ББК : 31.233 Предметные рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Аннотация: Получена формула для расчета времени релаксации носителей заряда при их рассеянии как на неупорядоченной сетке атомов поликристалла кремния, так и на системе неупорядоченных потенциальных барьеров, возникающих на поверхностях кристаллитов изотропного поликристалла кремния. Дается анализ времени релаксации дырок, проводится расчет температурной зависимости подвижности дырок в поликристаллическом кремнии р-типа. Приведен расчет холловского фактора, дифференциальной термоЭДС, поперечного магнетосопротивления и коэффициентов эластопроводимости.