Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Дюбуа А. Б. Заглавие : Схема-модель межподзонных электрон-электронных взаимодействий в сильнолегированном гетеропереходе Al[2]Ga[1-x]As (Si) /GaAs Серия: Физика полупроводников и диэлектриков Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. С. 45-51 (Шифр izph/2008/51/1) Примечания : Библиогр.: c. 51 (12 назв. ) УДК : 621.3 ББК : 31.2 Предметные рубрики: Энергетика Электротехника в целом Аннотация: Сообщаются результаты исследований электрон-электронных релаксационных процессов в системе сильно вырожденных 2D-электронов с тонкой структурой энергетического спектра и пространственного распределения электронной плотности. Для сильнолегированного гетероперехода, когда оказываются заполненными две подзоны размерного квантования, найдены выражения для времени электрон-электронного внутри- и межподзонного взаимодействия, определены матричные элементы полного потенциала экранирования и диэлектрической функции в приближении, далеком от длинноволнового предела. Показано, что осцилляции температурной и концентрационной зависимости времени электрон-электронного взаимодействия связаны с возбуждением плазменных колебаний компонентов 2D-электронной системы.