Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Звонков Б. Н., Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Демина П. Б., Дорохин М. В., Дроздов М. Н., Здоровейщев Д. А., Калентьева И. Л., Кузнецов Ю. М., Кудрин А. В., Нежданов А. В., Парафин А. Е., Хомицкий Д. В. Заглавие : Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As Серия: Полупроводники Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 9. - С.1245-1252: 6 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/9). - ISSN 0367-3294 Примечания : Библиогр. в конце ст. (15 назв.) УДК : 537.311.33 ББК : 22.379 Предметные рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков --Россия --Нижний Новгород, 2021 г. Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ingaas/gaas--мос-гидридная эпитаксия--гетеронаноструктуры--импульсное лазерное нанесение--магнитные полупроводники--международные симпозиумы--симпозиумы--спиновые инжекторы Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований влияния импульсного лазерного отжига на квантово-размерные структуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn) As в качестве спинового инжектора на поверхности. Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Дроздов, М. Н.; Здоровейщев, Д. А.; Калентьева, И. Л.; Кузнецов, Ю. М.; Кудрин, А. В.; Нежданов, А. В.; Парафин, А. Е.; Хомицкий, Д. В.; Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум