Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Мохов Е. Н., Вольфсон А. А., Казарова О. П. Заглавие : Выращивание объемных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом Серия: Полупроводники Место публикации : Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С.2298-2302: 5 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2019/61/12). - ISSN 0367-3294 Примечания : Библиогр. в конце ст. (9 назв.) УДК : 537.311.33 ББК : 22.379 Предметные рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков --Россия --Санкт-Петербург, 2019 г. Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): aln--gan--доклады--конференции--кристалл aln--кристалл gan--объемные кристаллы--сандвич-метод--сублимационный рост Аннотация: Приведен обзор результатов роста объемных кристаллов нитридов Al и Ga на инородных затравках сублимационным сандвич-методом. Доп.точки доступа: Вольфсон, А. А.; Казарова, О. П.