Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Кютт Р. Н. Заглавие : Распределение интенсивности трехволновой дифракции от дислокационных эпитаксиальных слоев в обратном пространстве Серия: Полупроводники Место публикации : Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 4. - С.691-695: 3 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2018/60/4). - ISSN 0367-3294 Примечания : Библиогр. в конце ст. (11 назв.) УДК : 537.311.33 ББК : 22.379 Предметные рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gan--zno--дислокационные эпитаксиальные слои--дифракция--трехволновая дифракция--эпитаксиальные слои Аннотация: Экспериментально исследована трехволновая дифракция рентгеновских лучей в сильнонарушенных эпитаксиальных слоях GaN и ZnO.