Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Войцеховский А. В., Кульчицкий Н. А., Несмелов С. Н., Дзядух С. М. Заглавие : Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев Серия: Наноматериалы и наноструктуры в электронике Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 4. - С.39-47. - ISSN 2225-0999 (Шифр ninm/2016/7/4). - ISSN 2225-0999 Примечания : Библиогр.: c. 47 (19 назв. ) УДК : 537.311.33 ББК : 22.379 Предметные рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структура--варизонные слои--диэлектрики-полупроводники--молекулярно-лучевая эпитаксия--наноразмерные переходные слои--плотность поверхностных состояний--проводимость структур--электрофизические свойства мдп-структур Аннотация: Рассмотрены особенности электрофизических свойств МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник (плотности быстрых и медленных поверхностных состояний, концентрации подлегирующих дефектов донорного типа) для МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из полной проводимости структур, измеренной в широком диапазоне температур и частот. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Кульчицкий, Н. А.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.