Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Кравцова А. Н., Ломаченко К. А., Сучкова С. А., Панкин И. А., Файн М. Б., Бугаев А. Л., Солдатов А. В. Заглавие : Допированные квантовые точки семейства CdTe Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 11. - С.1612-1616. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2015/79/11). - ISSN 0367-6765 Примечания : Библиогр.: c. 1615-1616 (24 назв. ) УДК : 539.2 ББК : 22.37 Предметные рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): xanes-спектры--кона-шема теория функционала--квантовые точки--модель обменно-корреляционного потенциала--спектроскопия рентгеновского поглощения xanes--теллурид кадмия--теория функционала плотности кона-шема Аннотация: Исследованы коллоидные полупроводниковые квантовые точки семейства CdTe. Проведен ab initio компьютерный дизайн квантовых точек на основе наночастиц CdTe и CdTe, допированных атомами переходных (Co, Mn) элементов. Выполнены расчеты парциальных плотностей электронных состояний исследуемых квантовых точек. Обоснована чувствительность спектроскопии рентгеновского поглощения в ближней к краю области (XANES) для верификации параметров наноразмерной атомной структуры малых квантовых точек семейства CdTe и для определения параметров локального окружения атома кадмия и примесных атомов в квантовой точке. Доп.точки доступа: Кравцова, А. Н.; Ломаченко, К. А.; Сучкова, С. А.; Панкин, И. А.; Файн, М. Б.; Бугаев, А. Л.; Солдатов, А. В.