Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Каменщиков М. В., Солнышкин А. В., Богомолов А. А., Пронин И. П. Заглавие : Проводимость и барьерные эффекты тонкопленочных гетероструктур на основе PZT в зависимости от условий синтеза Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 8. - С.1142-1144. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2013/77/8). - ISSN 0367-6765 Примечания : Библиогр.: c. 1144 (13 назв. ) УДК : 537.226.4 ББК : 22.331 Предметные рубрики: Физика Электростатика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьерные эффекты--вольт-амперные характеристики--вольт-фарадные характеристики--пула-френкеля эмиссия--тонкопленочные гетероструктуры--электропроводность--эмиссия пула-френкеля Аннотация: Исследованы электропроводность и диэлектрические характеристики пленочных структур Pt/Pb (Zr[0. 54], Ti[0. 46]) O[3]/Pt, синтезированных при различных температурах. Получены вольт-амперные (ВАХ), вольт-фарадные (ВФХ) характеристики. Обнаружена асимметрия ВАХ, свидетельствующая о различии в величинах потенциальных барьеров на интерфейсах исследуемых структур, которая меняется в зависимости от условий синтеза. На основе ВФХ рассчитаны величины потенциальных барьеров на интерфейсах Pt/PZT. Выделены два основных механизма проводимости: омический и эмиссия Пула-Френкеля. Доп.точки доступа: Каменщиков, М. В.; Солнышкин, А. В.; Богомолов, А. А.; Пронин, И. П.