Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Протасов Д. Ю., Новоселов А. Р., Комбаров Д. В., Костюченко В. Я., Долбак А. Е., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А. Заглавие : Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Серия: Физика полупроводников и диэлектриков Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С.69-74: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/3). - ISSN 0021-3411 Примечания : Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. ) УДК : 53.07 ББК : 22.3с Предметные рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур--кадмий - ртуть - теллур--низкотемпературные отжиги--оже-спектроскопия--фотодиоды Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород. Доп.точки доступа: Протасов, Д. Ю.; Новоселов, А. Р.; Комбаров, Д. В.; Костюченко, В. Я.; Долбак, А. Е.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.