Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Воротилов К. А., Жигалина О. М., Подгорный Ю. В., Серегин Д. С., Сигов А. С. Заглавие : Особенности процессов кристаллизации сегнетоэлектрика в многослойных наноразмерных гетероструктурах Серия: Физика наноматериалов и наноструктур Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - Т. 3, № 1. - С.3-13. - ISSN 2225-0999 (Шифр ninm/2012/3/1). - ISSN 2225-0999 Примечания : Библиогр.: c. 12-13 УДК : 539.2 ББК : 22.37 Предметные рубрики: Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): цтс--диэлектрическая проницаемость--кристаллизация сегнетоэлектриков--микроструктуры--многослойные наноразмерные гетероструктуры--пленки цтс--поляризация--сегнетоэлектрические золь-гель пленки--цирконат-титанат свинца Аннотация: Исследованы микроструктурные и электрофизические свойства тонких сегнетоэлектрических золь-гель пленок ЦТС (PbZr_0, 48Ti_0, 52O_3), сформированных методом центрифугирования на подложках Pt/TiO_2/SiO_2_/Si с температурой кристаллизации от 550…900 °С. Обсуждены особенности образования зеренной структуры ЦТС, диффузионные процессы, поляризационные свойства и вольт-фарадные характеристики многослойных наноразмерных гетероструктур, сформированных при различных температурах отжига слоя ЦТС. Доп.точки доступа: Воротилов, К. А.; Жигалина, О. М.; Подгорный, Ю. В.; Серегин, Д. С.; Сигов, А. С.