Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Вихнин В. С., Бенеманская Г. В., Тимошнев С. Н. Заглавие : Модель формирования периодической сверхструктуры, индуцированной подвижными дефектами на поверхности полупроводника Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 9. - С. 1377-1381 (Шифр ranf/2010/74/9) Примечания : Библиогр.: с. 1381 (3 назв. ) УДК : 539.2 ББК : 22.37 Предметные рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Аннотация: Предложена модель формирования периодической сверхструктуры на поверхности полупроводника с подвижными дефектами. Показано, что самоорганизованная система таких дефектов в условиях их взаимодействия с несоразмерной волной смещений может приводить к существенной модуляции параметров несоразмерной фазы в приповерхностном слое. Она может индуцировать значительное понижение энергии такой несоразмерной фазы и ее добавочную стабилизацию, с одной стороны, и увеличение амплитуды модуляции, которое может сопровождаться солитоноподобным несинусоидальным характером несоразмерной волны смещений - с другой. Развитая модель позволила объяснить экспериментальные результаты, связанные с периодической сверхструктурой, обнаруженной Г. В. Бенеманской с сотр. на поверхности полупроводника GaN. В частности, модель позволила объяснить природу такой сверхструктуры на основе самоорганизации подвижных нейтральных триадных дефектов, состоящих из отрицательно заряженных (3-) -вакансий матричных центров Ga[3+] и поверхностных примесных ионов Cs[+], Ba[2+] при взаимодействии триад с несоразмерной волной смещений. Доп.точки доступа: Бенеманская, Г. В.; Тимошнев, С. Н.