Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Ткаченко А. В., Ананьина О. Ю., Яновский А. С. Заглавие : Квантово-химическое изучение свойств поверхности SiO[2]/Si (100) с имплантированными ионами бора Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С.176-179. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2010/74/2). - ISSN 0367-6765 Примечания : Библиогр.: c. 179 (7 назв. ) УДК : 544.723:(546.27:546.28-32) ББК : 24.58 Предметные рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Аннотация: Представлены результаты квантово-химических расчетов свойств поверхности SiO2/Si (100) с имплантированными ионами бора В+. Рассчитаны зависимости полной энергии системы "кластер - ион бора В+" в зависимости от нахождения иона В+ в кислородных и кремниевых вакансиях, геометрические и электронные характеристики равновесных состояний кластера с имплантированным ионом бора. Доп.точки доступа: Ананьина, О. Ю.; Яновский, А. С.