Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Звонков Б. Н., Субботин И. А., Чуев М. А., Пашаев Э. М., Фарзетдинова Р. М., Рыльков В. В., Аронзон Б. А., Лайхо Р., Мейлихов Е. З., Давыдов А. Б., Лихачев И. А., Лашкул А. В., Панков М. А. Заглавие : Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом Серия: Электронные свойства твердых тел Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 346-355 (Шифр zhtf/2009/136/2) Примечания : Библиогр.: с. 354-355 УДК : 537.311.33 ББК : 22.379 Предметные рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): двумерный дырочный газ--дырочный газ--газы--марганец--структуры--свойства--квантовая яма--ферромагнитный переход--транспортные свойства структур Аннотация: Исследованы транспортные свойства структур GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с удаленным от квантовой ямы слоем примесей Mn в диапазоне их содержаний 4-10 ат. %, которые соответствуют повторному переходу метал-изолятор, наблюдаемому в объемном GaAsMn. Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Субботин, И. А.; Чуев, М. А.; Пашаев, Э. М.; Фарзетдинова, Р. М.; Рыльков, В. В.; Аронзон, Б. А.; Лайхо, Р.; Мейлихов, Е. З.; Давыдов, А. Б.; Лихачев, И. А.; Лашкул, А. В.; Панков, М. А.