Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Войцеховский А. В., Волков В. С., Григорьев Д. В., Ижнин И. И., Коротаев А. Г., Коханенко А. П., Посяцк М., Средин В. Г., Талипов Н. Х. Заглавие : Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56 (Шифр izph/2008/51/9) Примечания : Библиогр.: c. 56 (10 назв. ) УДК : 621.37/.39 + 621.382 ББК : 32 + 32.852 Предметные рубрики: Радиоэлектроника в целом Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--ионно-лучевое травление--полупроводники--фотоприемные устройства Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.