Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Васев А. В., Путято М. А., Семягин Б. Р., Селезнев В. А., Преображенский В. В. Заглавие : Влияние структурного состояния поверхности на формирование рельефа и морфологию слоев GaAs (001) при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 5-13 (Шифр izph/2008/51/9) Примечания : Библиогр.: с. 13 (34 назв. ) УДК : 544.72 + 537.533/.534 + 539.2 ББК : 24.58 + 22.338 + 22.37 Предметные рубрики: Физика Химия Физическая химия поверхностных явлений Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Физика твердого тела. Кристаллография в целом Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): адсорбция--вакуумный отжиг--выглаживание поверхностей gaas (001)--дифракция--молекулярно-лучевая эпитаксия--морфологические изменения поверхностей--физика конденсированного состояния--эпитаксия Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) изучены особенности морфологических изменений, происходящих на поверхности GaAs (001) в процессе роста молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и вакуумного отжига. Выявлена связь сверхструктурного состояния поверхности с характером этих изменений. Установлены термодинамические условия эпитаксиального роста GaAs (001) с наиболее структурно-совершенной поверхностью. Определены характеристики процессов, вызывающих развитие рельефа при росте МЛЭ в условиях существования реконструкции (2х4). Предложена и апробирована новая методика, позволяющая значительно повысить эффективность процедуры выглаживания поверхности GaAs (001) отжигом в потоке мышьяка. Доп.точки доступа: Васев, А. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Селезнев, В. А.; Преображенский, В. В.