Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Брудный В. Н., Кособуцкий А. В., Колин Н. Г. Заглавие : Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN) Серия: Физика полупроводников и диэлектриков Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31 (Шифр izph/2008/51/12) Примечания : Библиогр.: c. 31 (37 назв. ) УДК : 537.3 + 537.311.33 ББК : 22.332 + 22.379 Предметные рубрики: Физика Электрический ток Физика полупроводников и диэлектриков Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нитриды--радиационные дефекты--химпотенциал--энергетический спектр Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.