Карпович, И. А. Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs [Текст] / И. А. Карпович, О. Е. Хапугин> // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 119-122. . - Библиогр.: c. 122 (6 назв. )
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): фотомагнитные эффекты -- ФМЭ -- гетеронаноструктуры -- ГНС -- эпитаксиальные слои -- квантово-размерные слои -- гетероэпитаксиальная пассивация Аннотация: Исследовано влияние на спектры ФМЭ в гетеронаноструктурах встроенных квантово-размерных слоев и места их расположения в структуре. Доп.точки доступа: Хапугин, О. Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |