Исследование механизмов релаксации когерентности экситонов в одиночных GaAs/AlGaAs-квантовых ямах методами экситонной индукции [Текст] / С. В. Полтавцев [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 105, N 4. - С. 566-571.
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): экситоны -- когерентность экситонов -- квантовые ямы -- экситонная индукция -- релаксация когерентности экситонов Аннотация: Экспериментально исследованы механизмы релаксации когерентности экситонов в GaAs-квантовых ямах в линейном режиме. Разработана экспериментальная методика измерения полной скорости фазовой релаксации, скоростей обратимой и температурной необратимой фазовых релаксаций экситонов, а также скорости излучательного распада экситонной поляризации Г[R]. Полученные на серии образцов экспериментальные значения Г[R] для квантовой ямы заданной толщины имеют разброс не более 15%, что позволило оценить вид зависимости Г[R] от толщины ямы L[Z]. Также экспериментально установлено, что Г[R] не зависит от температуры вплоть до 80 K. Доп.точки доступа: Полтавцев, С. В.; Овсянкин, В. В.; Строганов, Б. В.; Долгих, Ю. К.; Елисеев, С. А.; Ефимов, Ю. П.; Петров, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |