Кортов, В. С. Электрический пробой и эмиссия высокоэнергетических электронов при заряжении диэлектриков [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев> // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 52-58. - Библиогр.: c. 58 (17 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): высокоэнергетические электроны -- кристаллические диэлектрики -- метод Монте-Карло -- моделирование транспорта электронов -- Монте-Карло метод -- электрический пробой электронов -- эмиссия электронов Аннотация: Модель расчета методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках усовершенствована с учетом процессов ударной ионизации и каскадирования. Проведено компьютерное моделирование транспорта электронов в SiO[2] в электрических полях высокой интенсивности. Установлено, что пробой указанного диэлектрика может произойти в диапазоне напряженности поля 11, 5-12, 5 МВ/см. Доп.точки доступа: Звонарев, С. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |