Чернышов, В. Н. Анализ условий в гетероструктурах [Текст] / В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 39-44. - Библиогр.: c. 44 (6 назв. )
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): гетерограницы -- гетероструктуры -- граничные условия в гетероструктурах -- метод матрицы рассеяния Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001). Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1) Свободны: з.п. (1) |