Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 268-271. - Библиогр.: c. 271 (13 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокластеры -- морфология -- фотолюминесценция -- гетероструктуры GeSi/Si (001) -- температурная зависимость -- оптические свойства -- коалесценция -- условия роста -- температуры роста Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур GeSi/Si (001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста. Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Сипрова, С. В.; Марычев, М. О.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |