Хабибуллаев, П. К. Электролюминисценция p-i-n-структур на основе ZnO, изготовленных методом ультразвукового распыления [Текст] / П. К. Хабибуллаев [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 4. - С. 469-471. - Библиогр.: с. 471 (14 назв. )
Рубрики: Физика Кл.слова (ненормированные): полупроводниковая электроника Аннотация: Проведены исследования механизма акцепторного легирования и влияния удельного сопротивления кремниевых подложек на электрофизические и оптические свойства тонких пленок ZnO, полученных методом ультразвукового распыления. Доп.точки доступа: Юлдашев, Ш. У.; Нусретов, Р. А.; Хван, И. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |