Самоорганизация наноостровков германия при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии структур Ge/Si (100) [Текст] / Ж. В. Смагина [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 593-604 : 8 рис. - Библиогр.: с. 603-604
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): низкоэнергетические ионы -- импульсное облучение -- пучки ионов -- гетероэпитаксия -- ионы -- кремний -- гетероструктуры -- германий -- облучение -- наноостровки германаия Аннотация: Приведены экспериментальные данные по росту трехмерных островков германия на поверхности Si (100) из ионно-молекулярных пучков в зависимости от температуры подложки, энергии ионов, доли ионизации молекулярного потока. Предложена модель гетероэпитаксии в условиях импульсного ионного облучения. Доп.точки доступа: Смагина, Ж. В.; Зиновьев, В. А.; Ненашев, А. В.; Двуреченский, А. В.; Армбристер, В. А.; Тийс, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |