Верхотурова, Ирина Владимировна (канд. физ.-мат. наук; ст. преподаватель каф.ФМиЛТ). Механизмы образования радиационных центров окраски в кристаллах Cr:Mg2SiO4 и Mg2SiO4. облученных электронами высоких энергий [Текст] / И. В. Верхотурова // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 41 : Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 23-24 : Ил., 2 рис. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионизирующее излучение -- кристаллы -- лазерные кристаллы -- облучение кристаллов форстерита -- кислородные вакансии -- О-центры -- F-центры Аннотация: В настоящей статье рассмотрено установление механизмов образования центров центров окраски в кристаллах Cr:Mg2SiO4, облученных ионизирующими излучениями, определение влияния концентрации хрома и дозы ионизирующего излучения кинетику радиационных центров окраски в оксидных лазерных кристаллах. Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : аб. (2), н.з. (1), эн.ф. (1), ч.з. (1) Свободны: аб. (2), н.з. (1), эн.ф. (1), ч.з. (1) |