Разработка дизайна сверхмногопериодных излучающих структур терагерцевого диапазона, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Л. Г. Герчиков, А. С. Дашков, Л. И. Горай, А. Д. Буравлев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2021. - Т. 160, вып. 2. - С. 197-205. - Библиогр.: с. 205 (35 назв.) . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): СМП-структуры -- ТГц-излучение -- источники излучения -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- сверхмногопериодные структуры -- синтез СМП-структур -- терагерцевое излучение Аннотация: Разработан дизайн источника терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешетки AlGaAs/GaAs, получаемой методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассчитаны коэффициент усиления и уровень оптических потерь и определены параметры источника, при которых возможна генерация ТГц-излучения. Исследовано резонансное поведение коэффициента усиления, обусловленное сильным перемешиванием туннельно-связанных электронных состояний. Доп.точки доступа: Герчиков, Л. Г.; Дашков, А. С.; Горай, Л. И.; Буравлев, А. Д. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |