Архипов, А. В. Эффект резистивного переключения и памяти в композитных пленках на основе оксида графена в матрице металлорганических перовскитов [Текст] / А. В. Архипов, Г. В. Ненашев, А. Н. Алешин // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 4. - С. 559-563 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (18 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): композитные пленки -- кристаллография в целом -- металлоорганические перовскиты -- оксид графена -- память -- перовскиты -- резистивное переключение -- электропроводность -- ячейки памяти Аннотация: Исследован эффект резистивного переключения в композитных пленках на основе металлоорганических перовскитов CH[3]NH[3]PbBr[3] и CH[3]NH[3]PbI[3]. Доп.точки доступа: Ненашев, Г. В.; Алешин, А. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |