Gassoumi, M. Conductance Deep-Level Transient Spectroscopy and Current Transport Mechanisms in Au|Pt|n-GaN Schottky Barrier Diodes [Text] / M. Gassoumi // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 4. - С. 555 . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): AlGaN -- GaN -- Шоттки диоды -- диапазон температур 40-325 K -- диоды Шоттки -- механизмы переноса тока -- переходная спектроскопия Аннотация: Механизмы переноса тока в барьерных диодах Шоттки Au|Pt|n-GaN исследуются в интервале температур 40-325 K. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |