Ferracioli, R. T. Anisotropic Carrier Transport in n-Doped 6H-SiC [Text] / R. T. Ferracioli, C. G. Rodrigues, R. Luzzi // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 1. - С. 90 . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): 6H-SiC -- анизотропный перенос заряда -- легированные полупроводники -- легированный полупроводник 6H-SiC -- полупроводники -- скорость дрейфа Аннотация: Представлено исследование переноса заряда в легированном полупроводнике 6H-SiC n-типа с использованием неравновесной квантовой кинетической теории. Доп.точки доступа: Rodrigues, C. G.; Luzzi, R. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |