Диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO[2] на Al в THz-IR-диапазоне [Текст] / Г. А. Командин, В. С. Ноздрин, А. А. Пронин [и др.] // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 2. - С. 223-228 : 5 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (28 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): Al-подложка -- диэлектрическая спектроскопия -- диэлектрические потери -- спектрометры -- терагерцовый диапазон -- тонкопленочные образцы Аннотация: Методами терагерцовой и IR-спектроскопии изучаются диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO[2] на Al-подложке. Доп.точки доступа: Командин, Г. А.; Ноздрин, В. С.; Пронин, А. А.; Породинков, О. Е.; Анзин, В. Б.; Спектор, И. Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |