Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3] [Текст] / Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г. Кл.слова (ненормированные): GaN -- g-AlN -- аммиак -- графеноподобные слои -- доклады -- конференции -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокристаллы GaN Аннотация: Изучен процесс формирования нанокристаллов GaN на графеноподобной модификации AlN (g-AlN) и графеноподобном нитриде кремния (g-Si[3]N[3]) методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Доп.точки доступа: Милахин, Д. С.; Малин, Т. В.; Мансуров, В. Г.; Галицын, Ю. Г.; Кожухов, А. С.; Александров, И. А.; Ржеуцкий, Н. В.; Лебедок, Е. В.; Разумец, Е. А.; Журавлев, К. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |