Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом [Текст] / Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 11. - С. 2137-2140 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Нижний Новгород, 2018 г. Кл.слова (ненормированные): GaSb -- InAs -- InSb -- железо -- импульсное лазерное нанесение -- лазерное нанесение -- легирование железом -- полупроводники -- свойства полупроводников -- симпозиумы Аннотация: Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения. Доп.точки доступа: Данилов, Ю. А.; Кудрин, А. В.; Лесников, В. П.; Вихрова, О. В.; Крюков, Р. Н.; Антонов, И. Н.; Толкачев, Д. С.; Алафердов, А. В.; Кунькова, З. Э.; Темирязева, М. П.; Темирязев, А. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |