Кособуцкий, А. В. Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия [Текст] / А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 9. - С. 1645-1649 : 2 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (24 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): гексагональный теллурид галлия -- полупроводники -- слоистые полупроводники -- теллурид галлия -- электронные структуры Аннотация: С использованием методов теории функционала плотности выполнены расчеты электронной зонной структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации. Доп.точки доступа: Саркисов, С. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |