Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 3. - С. 499-504 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (20 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): буферные слои -- кадмий -- карбид кремния -- кремний -- пленки селенида кадмия -- селенид кадмия Аннотация: Методом испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме впервые выращен эпитаксиальный кубический селенид кадмия толщиной 350 nm на кремнии. Доп.точки доступа: Антипов, В. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Рубец, В. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |