Фотоиндуцированное поглощение терагерцевого излучения в полуизолирующем кристалле GaAs [Текст] / А. С. Курдюбов [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 7. - С. 1274-1277 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): GaAs -- арсенид галлия -- галлий -- кристаллы -- полуизолирующие кристаллы -- терагерцевое излучение Аннотация: Экспериментально изучено влияние оптической подсветки на прохождение терагерцевого излучения через объемный кристалл полуизолирующего GaAs. Доп.точки доступа: Курдюбов, А. С.; Трифонов, А. В.; Герловин, И. Я.; Игнатьев, И. В.; Кавокин, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |