Формирование напряженных и сильно легированных наноразмерных слоев германия [Текст] / Р. И. Баталов [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 4. - С. 32-38. - Библиогр.: c. 38 (17 назв. ) . - ISSN 2225-0999
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): германий -- импульсная лазерная обработка -- импульсный лазерный отжиг -- ионно-лучевое распыление -- кремний кварц -- легированные слои германия -- наноразмерные слои германия -- поликристаллические пленки германия -- сапфир -- тонкие аморфные пленки Ge: Sb -- тонкие пленки -- электрофизические свойства Аннотация: Предложен метод создания слоев, заключающийся в ионно-лучевом распылении композитной мишени Sb/Ge, осаждении распыленного вещества в виде тонкой аморфной пленки Ge: Sb (~ 200 нм) на различные подложки (кремний, сапфир, кварц) и их импульсной лазерной обработке (ИЛО) с целью кристаллизации. Показано, что комбинация ионно-лучевого распыления и ИЛО приводит к введению в поликристаллические пленки Ge повышенных значений деформаций растяжения (до 1 %), получению однородно легированных примесью сурьмы слоев с высокой степенью электрической активации. Доп.точки доступа: Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Файзрахманов, И. А.; Ивлев, Г. Д. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |