Антипов, В. В. Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 2. - С. 385-388 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кадмий -- карбид кремния -- кремний -- кристаллография в целом -- пленки теллурида кадмия -- теллурид кадмия Аннотация: Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1-3 mum на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |