Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода [Текст] / Н. А. Соболев [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 12. - С. 2411-2414 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): Si-структура -- дозы имплантации -- имплантация -- ионы кислорода -- кислород -- кристаллография в целом -- люминесцентные свойства -- отжиг Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода и последующего отжига в хлорсодержащей атмосфере. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А.; Калядин, А. Е.; Аруев, П. Н.; Забродский, В. В.; Шек, Е. И.; Штельмах, К. Ф.; Карабешкин, К. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |