Логинов, Ю. Ю. Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV [Текст] / Ю. Ю. Логинов, А. В. Брильков, А. В. Мозжерин> // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 12. - С. 2380-2383 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): ZnS -- дефекты -- структурные дефекты -- электронно-микроскопические исследования -- электронное облучение -- электроны -- энергия 400 keV Аннотация: Исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/ (001) GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4) ·1019 e/cm2·s. Доп.точки доступа: Брильков, А. В.; Мозжерин, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |