Моисеев, К. Д. Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений [Текст] / К. Д. Моисеев, В. В. Романов, Ю. А. Кудрявцев // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2203-2207 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (6 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- металлоорганические соединения -- подложка InAs -- эпитаксиальные слои InAsSbP Аннотация: Послойный анализ вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания. Доп.точки доступа: Романов, В. В.; Кудрявцев, Ю. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |