Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 9. - С. 1812-1817 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (27 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): SiC -- галлий -- кремний -- кристаллография в целом -- оксид галлия -- углерод -- эпитаксиальные оксиды Аннотация: Методом хлоридной эпитаксии на пластинах кремния ориентации (111) с буферным слоем нано SiC выращены хорошо текстурированные, близкие по структуре к эпитаксиальным слои оксида галлия beta-Ga[2]O[3]. Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Николаев, В. И.; Осипов, А. В.; Осипова, Е. В.; Печников, А. И.; Феоктистов, Н. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |