Кукушкин, С. А. Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 7. - С. 1398-1402 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): SiC -- карбид кремния -- кремний -- кристаллография в целом -- метод молекулярного наслаивания -- молекулярное наслаивание -- оксид цинка -- подложки SiC -- цинк Аннотация: Впервые выращены эпитаксиальные пленки оксида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания. Доп.точки доступа: Осипов, А. В.; Романычев, А. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |